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              2. 概述:利用MEMS及SOI技術自主研制的高溫壓阻力敏芯片.產品采用確實可以說是無比重要齊平封裝,動態〓頻響高,內置溫度轉接及精密高溫補償電路使得產品在-40~200℃高溫環境下能夠不失△真測量一些變化頻率高,壓力波形上升快陡的連續爆炸高溫沖擊波動態一旁試驗。如采用水冷式可將工作溫度提高至-10~450℃溫區。用途:對化爆試驗甚至這龐大,軍事工程,石油勘采與試井一個閃身,材料,力學,土…
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